Разница между напылением и вакуумным покрытием в стекольной компании
Aug 10, 2024
Оставить сообщение
В отличие от вакуумного испарения, распыление представляет собой использование ионов высокой энергии для столкновения с материалом мишени, в результате чего образуются атомы, молекулы, ионы, которые, таким образом, формируют пленку на подложке.
Этот метод оснастки является наиболее часто используемым методом на нашем заводе по производству стеклянных бутылок в популяризации и индустриализации производства. Явление распыления обнаружено Гроувом А1 на катоде на поверхности разрядной трубки.
Высокоэнергетические ионы (или нейтральные ионы) и материалы мишени производят упругое столкновение, поверхность мишени поглощает этот импульс ионов, а затем происходит дальнейшее столкновение с окружающими ионами, в результате чего атомы поверхности мишени, связанные связью между поверхностью, отрываются, атом вылетает, что приводит к распылению.
Все виды эффектов, вызванных распылением, эффективны для двукратной электронной эмиссии, распыления стеклянного катода (мишени), газового аналитического разложения, нагрева катода, распространения ярда в макете, изменения решетки и ионной имплантации. По сравнению с числом падающих положительных частиц, R становится коэффициентом двухэлектронной эмиссии стеклянной бутылки, и его значение зависит от свойств материала мишени, массы положительного иона, потенциала ионизации и размера импульса двух электронов.
Когда энергия положительной частицы достигает десятков или сотен электронвольт, значение R в стеклянной компании составляет несколько 1% - несколько десятых.
Когда положительный ион сталкивается с мишенью, он нагревается, и 75% его энергии превращается в тепло, поэтому материал мишени необходимо охладить, чтобы мишень могла разложиться или даже раствориться. В общем, энергия вакуумного пара из источника испарения, чтобы вылететь из атома на стекольном заводе, составляет 0.1эВ, в материале мишени выплеск атомной энергии, чем источник вакуумного испарения, чтобы вылететь из атомной энергии на большой 1~2 порядка величины, около 5~10эВ, каждая единица времени имеет скорость распыления r, значение r, а плотность падающих положительных ионов и значение коэффициента распыления пропорциональны произведению.

